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最近英特尔在ISSCC 2025上，先容了备受期待的Intel 18A工艺技巧，其中强调了SRAM密度的舛误革新。按照英特尔的说法，SRAM位单位尺寸将从Intel 3工艺的0.03μm减弱到Intel 18A工艺的0.023μm，HDC也泄露出访佛的革新，减弱到0.021m。比较之下，台积电（TSMC）N5、N3B和N2工艺的SRAM位单位大小辞别为0.021m、0.0199μm和0.0175μm。 近日英特尔官网更新了Intel 18A工艺的信息，并发布了一条讯息：“Intel 18A现如

起首：MebiuW 前两天Intel 18A工艺良率仅有10%的新闻又再一次出当今互联网上，尽管许多东谈主以及Intel的前任CEO Pat Gelsinger齐出来辟谣阐扬，然则许多东谈主依然肯定这个10%的良率是真。今天我就给大家阐扬下，为什么这个10%良率等于一个无良传言。 良率百分比这个主义不可靠 咱们当先引出Intel 前任CEO Pat Gelsinger给出的一个专科阐扬，良率百分比并不是一个得当评价工艺良率的主义，因为雷同良率的的工艺，在制造不同大小的芯倏得会产生会有天渊之隔的

服从浮现，Arc B570的Geekbench OpenCL测试得分相较于Arc B580的得分，慢12%傍边。 快科技1月14日音问，Intel二代孤立显卡首发B580、B570两款型号，其中B580如故上市开售，而规格稍低少量的B570筹办在1月16日上架，评测解禁按老例是1月15日晚。 不外如故有效户在Geekbench中发现了Arc B570基准测试服从，展示了在OpenCL测试中的性能，并将其发布了出来。 服从浮现，Arc B570的Geekbench OpenCL测试得分为86716